相關研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省高達90%的功耗；如果採用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM，則可實現更高的位元密度和更小的晶元尺寸，這些功率與面積成本優勢將使MRAM成為邊緣側設備的有力競爭者。而相較於傳統的NAND快閃記憶體，PCRAM或ReRAM ...
相關研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省高達90%的功耗；如果採用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM，則可實現更高的位元密度和更小的晶元尺寸，這些功率與面積成本優勢將使MRAM成為邊緣側設備的有力競爭者。而相較於傳統的NAND快閃記憶體，PCRAM或ReRAM存儲級存儲器更可提供超過10倍以上的存取速度，更適合在雲端對資料進行存儲。
MRAM是一種非易失性存儲技術，從20世紀90年代開始發展。該技術具備接近靜態隨機存儲器的高速讀取寫入能力，快快閃記憶體儲器的非易失性、容量密度和與DRAM幾乎相同的使用壽命，但平均能耗卻遠低於DRAM，而且可以無限次地重覆寫入。
MRAM技術之所以受到業界追捧，原因在於隨著業界持續向更小技術節點邁進，DRAM和NAND快閃記憶體(Flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰，MRAM因此被視為有望取代這些記憶體晶元的獨立記憶體組件。考慮到MRAM具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技術，適用於取代物聯網(IoT)設備中的嵌入式快閃記憶體和3級高速緩存SRAM。
它不是用來替代快閃記憶體的，而是用來處理運算過程中產生的數據。MRAM具有高速讀寫能力，同時也能永久地保存數據，所以它屬於RAM，又能兼顧非易失性。
