Microchip的SRAM和NVSRAM系列（SPI串列SRAM和NVSRAM設備）提供了一種輕鬆添加外部RAM的方式，且具有以下特性功能 特性低功耗CMOS技術：4μA最大待機電流 標準4引腳SPI介面：晶元選擇、數據輸入、數據輸出和時鐘 無限寫入存儲器、零寫入時間 提供備用電池（512Kb、1 ...
Microchip的SRAM和NVSRAM系列（SPI串列SRAM和NVSRAM設備）提供了一種輕鬆添加外部RAM的方式，且具有以下特性功能
特性
低功耗CMOS技術：4μA最大待機電流
標準4引腳SPI介面：晶元選擇、數據輸入、數據輸出和時鐘
無限寫入存儲器、零寫入時間
提供備用電池（512Kb、1Mb）
32位元組頁面
高速SDI(2x)和SQI(4x)模式支持，高達80Mb/s
工業溫度範圍：-40°C至+85°C
小型8引線SOIC、TSSOP和PDIP封裝
Microchip的串列SRAM系列提供了一種幾乎能在任何應用上添加外置RAM的方法，這種方法成本相對低廉、操作簡單。相比傳統並行SRAM，這些8引腳串列器件的功耗更低，所用I/O連接數量更少。利用這些器件，設計人員可以使用更小的微控制器，而無需僅僅為了獲得更大的板載RAM而改用更大的器件。零寫入周期時間使這些器件非常適合於將圖形、數據緩衝、數據記錄、顯示、數學、音頻、視頻和其它數據密集型功能卸載至獨立SRAM。與標準SPI相比，SDI和SQI允許使用2倍和4倍數據速率。Microchip的SPI相容型串列SRAM器件有64、256、512和1024Kb四種容量供用戶選擇。這些器件以低功耗實現高速性能，非常適合需要更大RAM的嵌入式應用。
此外，這些512Kb和1Mb器件還具有Vbat引腳用於電池備份，因此當外部電池或超級電容器連接到該引腳時，使器件具有非易失性。這些串列NVSRAM器件具備無限使用壽命和瞬時寫功能，對於諸如量表、黑盒和數據記錄器之類應用特別有用。
Microchip串列SRAM系列如下表
| Density | Part number | Voltage | Speed(MHz) | Temp.-Range | PKG |
|---|---|---|---|---|---|
| 1Mb | 23A1024 | 1.7 - 2.2V | 20 | -40℃ to +125℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
| 1Mb | 23LC1024 | 2.5 - 5.5V | 20 | -40℃ to +125℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
| 1Mbit | 23LCV1024 | 2.5 - 5.5V | 20 | -40°C to +85°C | SPI,SDI |
| 512Kb | 23A512 | 1.7 - 2.2V | 20 | -40℃ to +125℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
| 512Kb | 23LC512 | 2.5 - 5.5V | 20 | -40℃ to +125℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
| 512Kbit | 23LCV512 | 2.5 - 5.5V | 20 | -40°C to +85°C | SPI,SDI |
| 256Kb | 23A256 | 1.7-1.95V | 16 | -40℃ to +85℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
| 256Kb | 23K256 | 2.7-3.6V | 20 | -40℃ to +85℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
| 64Kb | 23A640 | 1.7-1.95V | 16 | -40℃ to +85℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
| 64Kb | 23K640 | 2.7-3.6V | 20 | -40℃ to +85℃ | SOIC, PDIP, TSSOP |
