據報道三星已經成功研發出有望替代嵌入式快閃記憶體存儲器（eFlash）的嵌入式磁阻隨機訪問記憶體（eMRAM），容量為1Gb，測試晶元的優良率已達90%。 隨著5G物聯網時代的來臨，存儲器領域發展快速，而在這一領域，韓系廠商擁有著比較明顯的優勢。 MRAM晶元是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種 ...
據報道三星已經成功研發出有望替代嵌入式快閃記憶體存儲器（eFlash）的嵌入式磁阻隨機訪問記憶體（eMRAM），容量為1Gb，測試晶元的優良率已達90%。
隨著5G物聯網時代的來臨，存儲器領域發展快速，而在這一領域，韓系廠商擁有著比較明顯的優勢。
MRAM晶元是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做記憶體以及硬碟的新型存儲器介質。寫入速度可達到NAND快閃記憶體的數千倍，此外其製作工藝要求低，產品良品率高，可以很好的控製成本。在壽命方面由於MRAM特殊的存儲方式，產品的壽命耐久性也遠遠超傳統RAM。
報道稱三星也正在改善1Gb MRAM壽命問題，除了支持長達10年的存儲年限之外，在105℃的溫度也可完成1億次讀寫，在85℃下則可增加至100億次讀寫，在正常工作環境中，則有望達到1兆次讀寫。目前以MRAM為代表的新型存儲已經發展到了關鍵階段，是否能成為取代NAND快閃記憶體的下一代存儲器介質除了材料和工藝的不斷的完善之外，構建完善器件的技術生態系統同樣是十分關鍵的。相信在市場需求的引導以及各大廠商的推動下，存儲產品一定朝著性能更高以及容量更大以及成本更優的方向發展。致力於生產MRAM存儲器的EVERSPIN在磁存儲器設計，製造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處於市場領先地位。 Everspin在數據中心在汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM的產品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎。
