MRAM是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做記憶體和硬碟的新型存儲介質。寫入速度可達NAND快閃記憶體的數千倍，此外，其製作工藝要求低，良品率高，可以很好的控製成本。在壽命方面，由於MRAM特殊的存儲方式，產品的壽命耐久性也遠超傳統RAM。大規模普及仍面臨挑戰 毫無疑問，MRAM因 ...
MRAM是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做記憶體和硬碟的新型存儲介質。寫入速度可達NAND快閃記憶體的數千倍，此外，其製作工藝要求低，良品率高，可以很好的控製成本。在壽命方面，由於MRAM特殊的存儲方式，產品的壽命耐久性也遠超傳統RAM。大規模普及仍面臨挑戰
毫無疑問，MRAM因其獨特的存儲方式在非易失性，寫入速度，壽命等各方面均有優勢，然而能否被廣泛採用仍面臨一系列挑戰。
一般來講，MRAM通常由三大部分組成：半導體基底，磁自旋隧穿結（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）和磁發生器。產業調研報告《Emerging Memories Ramp Up》顯示，MRAM在廣泛推廣的過程中面臨的重要挑戰的原因是所使用的材料和工藝和傳統的CMOS製造不同。
性能壽命遠超NAND，MRAM離大規模應用還有多久?傳三星良率已達90%
報告稱，目前，MRAM是在單獨的晶圓廠作為“後端生產線”（BEOL）工藝來生產的，需要一些傳統CMOS製造工藝沒有使用的新設備，諸如離子束蝕刻和新的濺射靶之類。要想降低嵌入式MRAM產品的成本，其製造就需要進入CMOS晶圓廠，成為常規器件生產的一部分。
Applied Materials金屬沉積產品副總裁Kevin Moraes稱，在MTJ結構中，是由存儲層，隧道壁壘層和參考層等互相堆疊而成。這些堆疊材料中，有些作為阻擋作用薄膜層，這些阻擋層非常薄，很容易被破壞，因此如何精準的沉積這些薄膜也十分重要。
除三星一直積極推進MRAM發展之外，英特爾也在今年上半年宣佈已經做好eMRAM晶元大批量生產的準備。鎧俠也相繼發表多項MRAM相關專利，推動技術發展。作為MRAM領先者的EVERSPIN供應商仍致力於研發創新出新的產品提供給市場.
報道稱，三星透過提升MTJ結構的均一性，以減少阻抗值與記錄電流偏差，改良製程，減少會對MTJ造成不良影響的缺陷密度，實現容量和良率的提升。
此外，隨著存儲設備朝著高集成度方向發展，MRAM小型化發展也面臨困難。
目前，以MRAM為代表的新型存儲已經發展到了關鍵階段，能否成為取代NAND快閃記憶體的下一代存儲介質除了材料和工藝的不斷完善之外，構建完善的器件技術生態系統也是十分關鍵的。相信在市場需求的引導以及各大廠商的推動下，存儲產品一定朝著性能更高，容量更大以及成本更優的方向發展。
