業界一直在尋求取代SRAM。其中之一包括自旋轉移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存儲器帶來了一些大膽的主張。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和快閃記憶體的無波動性，具有無限的耐用性。 圖1.STT-MRAM的MJT細胞 everspin已經為SSD提供SST-MRAM設備。此外一些晶元製造商正 ...
業界一直在尋求取代SRAM。其中之一包括自旋轉移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存儲器帶來了一些大膽的主張。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和快閃記憶體的無波動性，具有無限的耐用性。
圖1.STT-MRAM的MJT細胞
everspin已經為SSD提供SST-MRAM設備。此外一些晶元製造商正專註於嵌入式STT-MRAM，它分為兩個市場，嵌入式快閃記憶體替代和緩存。
STT-MRAM是具有磁隧道結（MTJ）存儲器單元的單晶體管架構。它利用電子自旋的磁性在晶元中提供非揮發性特性。寫入和讀取功能在MTJ單元中共用相同的並行路徑。
為此STT-MRAM正準備取代嵌入式NOR快閃記憶體晶元。此外，STT-MRAM旨在取代SRAM，至少用於L3緩存。STT-MRAM正在不斷發展，以更密集地嵌入到SoC中，其更小的單元尺寸，更低的待機功率要求和非易失性提供了一個引人註目的價值主張，針對用作通用板載存儲器和最後級別的大得多且易變的SRAM緩存。
但STT-MRAM的速度還不足以取代SRAM用於L1和/或L2緩存，還包括穩定性。我們相信STT-MRAM，訪問時間將在5ns到10ns之間飽和。當你進入L1和L2緩存時，我們相信你需要去SOT-MRAM。
類似於STT-MRAM，SOT-MRAM仍處於研發階段。不同之處在於SOT-MRAM在器件下集成了SOT層。根據Imec，它通過在相鄰的SOT層中註入面內電流來引起層的切換。
當你切換STT-MRAM，需要通過MTJ推動當前，在記憶體主任IMEC。在SOT-MRAM中，你有兩條路徑，一條用於寫入，另一條用於讀取。讀取就像STT。你通讀了MTJ。寫不是通過MTJ。這是一個很大的好處，因為您可以迴圈設備並對其進行優化以延長使用壽命。第二大優勢是速度。我司Everspin代理不同容量的MRAM存儲晶元.
