TTL，CMOS以及LVTTL,LVCMOS TTL和CMOS是數字電路中兩種常見的邏輯電平，LVTTL和LVCMOS是兩者低電平版本。TTL是流控器件，輸入電阻小，TTL電平器件速度快，驅動能力大，但功耗大。CMOS是MOS管邏輯，為壓控器件，且輸入電阻極大，CMOS電平器件速度慢，驅動能力不足T
TTL，CMOS以及LVTTL,LVCMOS
TTL和CMOS是數字電路中兩種常見的邏輯電平，LVTTL和LVCMOS是兩者低電平版本。TTL是流控器件，輸入電阻小，TTL電平器件速度快，驅動能力大，但功耗大。CMOS是MOS管邏輯，為壓控器件，且輸入電阻極大，CMOS電平器件速度慢，驅動能力不足TTL，但功耗小。正是由於CMOS器件輸入阻抗很大，外界微小的干擾就有可能引起電平的翻轉，所以CMOS器件上未使用的輸入引腳應做上下拉處理，不能浮空。
由於TTL和CMOS電平在0或1時不一樣，所以需要滿足VOH（發送方） > VIH（接收方）,且提供一定的雜訊容限，發送方VOL小於接收方VIL,且提供一定的雜訊容限。
高邏輯電平驅動低邏輯電平時，可串聯50~330Ω電阻進行電平的轉換。其中JTAG就是一個例子，在使用Cyclone III代晶元時，JTAG為2.5V電平，而Cyclone III是3.3V電平，使用時需要串接電阻，以實現電平的轉換。串聯電阻有時對於驅動能力較強的元器件如74LVT系列，為了消除信號振鈴，可以串聯電阻消除信號振鈴現象。
與驅動能力相關的兩個名詞：拉電流與灌電流。
拉電流：拉電流是指電流方向為負，電流流出器件，稱為拉電流，比如IOH；
灌電流：灌電流指的是電流方向為正，電流流入器件，稱為灌電流，比如IOL；
Bipolar工藝的器件，特點是速度高，驅動能力強，但功耗大；CMOS工藝的器件，驅動能力和速度較Bipolar弱，但其集成度高，功耗低；而BiCMOS兼有Bipolar和CMOS的優勢。
CMOS和TTL不適合高速電路原因
1）電平幅度較大，即使是低電平版本，擺幅也到了3.3V或2.5V，因此信號變化沿所耗費的時間越長，不適合於傳輸頻率達到200MHz以上的信號。
2）輸出信號為單端。在傳輸路徑上易受到干擾，不利於遠距離的傳輸
3）功耗較大。
器件手冊需要瞭解到的知識
作為硬體工程師，每天都需要與各種電子元器件的手冊打交道，那麼對於手冊上的一些參數值是我們往往需要關心的。在選擇器件時，往往根據這些器件的參數值進行篩選，就可以選擇到合適的晶元。
1) Features：一般我們在查看手冊時，手冊第一頁就會有關於此器件的Features，這是我們需要關心的，通過此Features我們就可以除去一部分不適合的晶元。
2) Absolute Maximum Ratings：這一部分是我們常常需要留心的，器件極限參數值。其中有些參數必須要理解：
1】 Vcc：電源電壓。第一，確保上電和下電時電源電壓的過沖小於極限值；第二，正常工作
電源電壓加上紋波電壓的最大值要小於極限值。
2】 VI：輸入信號電平，要求輸入信號的上升沿和下降沿的過沖不能超過一定的值。
3】 VO：輸出信號電平，一般會看到 -0.5V （min），Vcc + 0.5V（max）其中Vcc應為器件正常工作時的電壓，而不是最大電壓值。
4】IIK：輸入鉗位電流，指工作電壓超出正常值之外時，允許流入器件輸入端的最大電流。
5】IOK：輸出鉗位電流，指工作電壓超出正常值之外時，允許流入器件輸出端的最大電流。
3) Electrical Characteristics：這一部分是我們常常需要留心的，器件電氣參數值。其中有些參數必須要理解：
II ：器件正常工作時流入（輸入信號為高電平）或工作時流出（輸入信號為低電平）輸入埠的電流。CMOS工藝的邏輯器件屬於壓控型，輸入電流很小，通過器件參數II與Icc可以判斷該器件的工藝類型為CMOS，還是TTL工藝。
CI ：輸入電容，指邏輯器件輸入埠的寄生電容，在電路設計時可以視為驅動能力的指標。如Cypress CY2305器件資料中，定義CL參數為30pF,即該器件輸出引腳的容性負載能力是30pF,對於74LVC125A器件的CI 為5pF,所以一個CY2305最多可以帶動6個74LVC125A器件。
