MRAM是基於電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術。MRAM通常被稱為“存儲器的聖杯”，具有快速，高密度和非易失性的特點，可以在單個晶元中替代當今使用的所有類型的存儲器。 Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）產品商業製造商。Everspin產品憑藉其非常成功的ToggleMRAM技術，被 ...
MRAM是基於電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術。MRAM通常被稱為“存儲器的聖杯”，具有快速，高密度和非易失性的特點，可以在單個晶元中替代當今使用的所有類型的存儲器。
Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）產品商業製造商。Everspin產品憑藉其非常成功的ToggleMRAM技術，被用於從汽車，航空和存儲系統到工業自動化，航空航天等領域的各種應用。我司英尚微電子everspin代理,主要提供用戶各種容量大小的MRAM晶元產品,提供完善的產品技術和解決方案。
Everspin Technologies宣佈已修訂與GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM聯合開發協議（JDA），以為高級12nm FinFETMRAM解決方案的未來項目設定條件。Everspin協議包括40nm，28nm和22nm工藝，現在還包括12nm。
Everspin 1Gb STT-MRAM晶元照片
GF最近宣佈已在其22FDX平臺上實現了嵌入式MRAM（eMRAM）的初步生產。
Everspin MRAM 128Kb
| Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | Order Multiple /Tray | MOQ / Tray | MOQ / T&R |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDF | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDF | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 570 | 1,140 | 4,000 |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 1,140 | 4,000 |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 1,140 | 4,000 |
