當前有兩個不同系列的非同步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術角度看來，這種權衡是合理的。在低功耗SRAM中，通過採用特殊柵誘導漏極泄漏(GIDL)控制技術控制待機電流來控制待機功耗。這些技術需要在上拉或下拉路徑中添加額外的晶體管，因此會加劇存取延遲，而且在此過程中 ...
當前有兩個不同系列的非同步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術角度看來，這種權衡是合理的。在低功耗SRAM中，通過採用特殊柵誘導漏極泄漏(GIDL)控制技術控制待機電流來控制待機功耗。這些技術需要在上拉或下拉路徑中添加額外的晶體管，因此會加劇存取延遲，而且在此過程中會延長存取時間。在快速SRAM中，存取時間占首要地位，因此不能使用這些技術。此外要減少傳播延遲，需要增大晶元尺寸。晶元尺寸增大會增大漏電流，從而增加整體待機功耗。
微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。這種工作模式有助於為大部分時間都處於待機狀態下的應用省電。該控制器可在正常工作中全速運行，但事後則進入低功耗模式，以便節省電源。使所連接的SRAM也具有類似的工作模式很重要。具有深度睡眠工作模式[5]的非同步快速SRAM是這類應用的理想選擇。這種SRAM晶元有一個附加輸入引腳，有助於用戶在不同的工作模式(正常、待機和深度睡眠)間切換。因此可在不影響性能的情況下管理低功耗。
到目前位置的典型SRAM應用接受這種權衡：電池供電應用使用低功耗SRAM(降低性能)，有線工業高性能應用則使用快速SRAM。不過對於物聯網及其它眾多高級應用來說，這種權衡不再適用。主要原因是對於大部分這些應用而言，不僅高性能很重要，同時還必須限制待機功耗，因為這些應用大多採用電池供電工作。非常幸運的是，SRAM正在縮小這兩個系列之間的性能差距，正逐漸發展成具有這兩種優勢的單晶元產品。我司英尚微VTI代理商,提供VTI SRAM晶元.
VTI快速非同步SRAM部分型號
| Density | Org. | Part Name | Temp. | Vcc(V) | Speed | Package | Packing |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532LF08TM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532LF08LM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48BGA | Tray |
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532NF08TM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532NF08LM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48BGA | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532LF16TM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532LF16LM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48BGA | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532NF16TM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532NF16LM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48BGA | Tray |
