everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）介面，但與較舊的基於DDR3的MRAM組件一樣，時序上的差異使得其難以成為DRAM（動態隨機存取器）的直接替代品。 最新的1Gb容量STT-MRAM擴大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲密 ...
everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）介面，但與較舊的基於DDR3的MRAM組件一樣，時序上的差異使得其難以成為DRAM（動態隨機存取器）的直接替代品。
最新的1Gb容量STT-MRAM擴大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲密度。 低容量的特性，使得MRAM組件更適用於嵌入式系統，其中SoC和ASIC可更容易地設計相容的DDR控制器。 目前行業內已通過MRAM來部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模塊，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
當然我們並不指望mram專用存儲設備可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。畢竟市面上的混合型SSD，仍依賴於NAND快閃記憶體作為主要存儲介質。 作為與格羅方德合作生產的第二款分立型MRAM器件，他們還在GloFo的22nmFD-SOI工藝路線圖中嵌入了MRAM。 鑒於該工廠取消了7nm和更低製程的計劃，包括嵌入式記憶體在內的特殊工藝對其未來顯然至關重要。 需要指出的是，儘管Everspin不是唯一一家致力於MRAM技術的公司，但它們卻是分立式MRAM器件的唯一供應商。Everspin在磁存儲器設計，製造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處於市場領先地位。
