everspin的MR25H10是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，由131,072個8位字組成。MR25H10提供串列EEPROM和串列快閃記憶體相容的讀/寫時序，沒有寫延遲，並且讀/寫壽命不受限制。 與其他串列存儲器不同，讀取和寫入都可以在記憶體中隨機發生，而兩次寫入之間沒有延 ...
everspin的MR25H10是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，由131,072個8位字組成。MR25H10提供串列EEPROM和串列快閃記憶體相容的讀/寫時序，沒有寫延遲，並且讀/寫壽命不受限制。
與其他串列存儲器不同，讀取和寫入都可以在記憶體中隨機發生，而兩次寫入之間沒有延遲。對於必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程式的應用，MR25H10是理想的存儲器解決方案。
MR25H10提供5mmx6mm8引腳DFN封裝或5mmx6mm8引腳DFN小標誌封裝。兩者均與串列EEPROM，快閃記憶體和FeRAM產品相容。該系列產品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用於替換Cypress的型號FM24V10.
MR25H10可在各種溫度範圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供工業（-40°至+85°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度範圍選項。
對於必須使用最少數量的引腳快速存儲和檢索數據和程式的應用，MR25H10是理想的mram晶元。可提供AEC-Q1001級合格選項。40MHz的讀寫速度，具有無限的耐力。數據非易失性，保留20年。數據保留掉電。符合RoHS的軟體包。
1Mb串列SPI MRAM
•無寫入延遲
•無限的寫續航力
•數據保留超過20年
•斷電時自動數據保護
•塊防寫
•快速，簡單的SPI介面，時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源範圍
•低電流睡眠模式
•工業溫度
•提供8引腳DFN或8引腳DFN符合RoHS標準的小標誌
包裝
•直接替換串列EEPROM，快閃記憶體，FeRAM
•AEC-Q1001級選件
