一：SDRAM SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步動態隨機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址 ...
一：SDRAM
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步動態隨機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。
SDRAM的一些參數：
（1）容量。SDRAM的容量經常用XX存儲單元×X體×每個存儲單元的位數來表示。例如某SDRAM晶元的容量為4M×4×8bit，表明該存儲器晶元的容量為16 M位元組。或128 M bit。
（2） 時鐘周期。它代表SDRAM所能運行的最大頻率。顯然，這個數字越小說明SDRAM晶元所能運行的頻率就越高。 對於一片普通的PC-100 SDRAM來說，它晶元上的標識10代表了它的運行時鐘周期為10 ns，即可以在100 MHz的外頻下正常工作。例如晶元上標有7.5，表示它可以運行在133MHz的頻率上。
（3） 存取時間。目前大多數SDRAM晶元的存取時間為5、6、7、8或10 ns，但這可不同於系統時鐘頻率。比如晶元廠家給出的存取時間為7 ns而不是存取周期。因此，它的系統時鐘周期要長一些，例如10 ns，即外頻為100 MHz。
（4） CAS的延遲時間。這是列地址脈衝的反應時間。現在大多數的SDRAM(當外頻為100 MHz時)都能運行在CASLatency(CL)＝2或3的模式下，也就是說，這時它們讀取數據的延遲時間可以是兩個時鐘周期也可以是三個時鐘周期。在SDRAM的製造過程中，可以將這個特性寫入SDRAM的EEPROM中，在開機時主板的BIOS就會檢查此項內容，並以CL＝2這一預設的模式運行。
（5）綜合性能的評價。對於PC 100記憶體來說，就是要求當CL＝3的時候，tCK(時鐘周期) 的數值要小於10 ns，tAC要小於6 ns。至於為什麼要強調是CL＝3的時候呢，這是因為對於同一個記憶體條，當設置不同CL數值時，tCK的值很可能是不相同的，當然tAC的值也是不太可能相同的。總延遲時間的計算公式一般為： 總延遲時間＝系統時鐘周期×CL模式數＋存取時間例如，某PC100記憶體的存取時間為6 ns，我們設定CL模式數為2(即CAS Latency＝2)，則總延遲時間＝10 ns×2＋6 ns＝26 ns。這就是評價記憶體性能高低的重要數值。
主要應用於FPGA、記憶體中；
二：SRAM
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
三：DRAM
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統記憶體。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
四：DDR
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。
它們之間的區別：
SRAM：靜態RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內部的cache，都是靜態RAM，缺點是一個記憶體單元需要的晶體管數量多，因而價格昂貴，容量不大。
DRAM：動態RAM，需要刷新，容量大。
SDRAM：同步動態RAM，需要刷新，速度較快，容量大。
DDR:SDRAM：雙通道同步動態RAM，需要刷新，速度快，容量大。
