最近出現的許多記憶體問題都以3D Xpoint的形式出現在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM（FRAM）在小型利基設備中得到了成功。去年對新興記憶體年報，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三個關鍵新興的記憶保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在諸如大眾運輸卡，游戲系統和功率計之類的 ...
最近出現的許多記憶體問題都以3D Xpoint的形式出現在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM（FRAM）在小型利基設備中得到了成功。
去年對新興記憶體年報，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三個關鍵新興的記憶保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在諸如大眾運輸卡，游戲系統和功率計之類的特定市場證明瞭自己，其主要吸引力在於執行寫入操作時的低功耗。 FRAM產品已經存在很長時間了，主要是作為緩衝應用程式的專用緩存。甚至還有一些靈活的FRAM器件，“但對於利基應用，它們的密度相對較低。
實際上，FRAM已經存在了35年。它的非易失性和低功耗是它繼續受到關註的原因，因為它對許多應用程式都至關重要。由於其開關能量低，FRAM通常具有很大的吸引力，需要非常低的能量來切換這種材料，因此如果正在編程或提高比特率，則需要投入很少的能量來扭轉這種極化。與其他技術相比，FRAM的開關能量最低。
但是它也面臨挑戰，包括高昂的處理成本，大的存儲單元和更大的晶元尺寸。可擴展性對於超越小型密度利基應用來說是必不可少的。
FMC的FRAM技術使用氧化ha作為柵極絕緣體，因此可以採用標準的HKMG晶體管並對其柵極絕緣體進行改性，使其成為鐵電體，從而製造出非易失性HKMG晶體管。
FRAM的有效擴展可能是使用氧化f，該氧化物通常用於幫助在標準CMOS邏輯工藝中製造高K柵極電介質層。那激發了人們對鐵電存儲器的新興趣。到目前為止，還沒有新的產品可以利用這種材料，但是有幾個研究項目正在進行中。它顯示出有望實現某些高密度和與CMOS的相容性。
但是，FRAM仍然面臨與MRAM和ReRAM相似的挑戰，包括受到晶體管尺寸的限制。
氧化f幾乎可以用作所有高鉀金屬柵極（HKMG）工藝節點的柵極絕緣體，因此可以採用標準的HKMG晶體管並對其柵極絕緣體進行改性，使其成為鐵電體，從而製造出非易失性HKMG晶體管- FeFET。在性能方面，該公司的技術可以在10到15納秒的數量級內實現讀寫，同時在85度角下可以保持長達十年的保留時間。
由於FMC的FeFET存儲器是從標準HKMG邏輯晶體管衍生而來的，因此該概念具有與CMOS基準線一樣的固有可擴展性。這種可伸縮性對於保持較低的製造成本至關重要，包括使非易失性存儲器消耗的晶元面積儘可能小。FeFET技術將在28或22 nm處擊穿2至3層。FMC現在的重點是技術開發，並將其發展到可以被鑄造廠認可的水平。
能夠與現有的CMOS工藝集成並實現3D是可伸縮性的關鍵。還可以直接集成到晶體管規格中。這樣可以減少占用空間並簡化流程，這是可擴展性的重要推動力。
同時，FRAM有許多小密度，細分市場的應用。賽普拉斯半導體RAM業務部門表示，它不僅具有非易失性和低能耗的特性，而且還具有耐輻射性。總體而言，它是一種相當穩定的記憶體-以其目前可商購的形式-用於數據記錄和備份之類的應用程式。
賽普拉斯最初推出了面向汽車和工業應用的Excelon FRAM，其低引腳數小封裝選項的密度高達8Mb。
Cypress FRAM產品包括其Excelon系列，該系列專門為自動駕駛汽車所需的高速非易失性數據記錄而設計，但也正在逐步應用於醫療，可穿戴，物聯網感測器，工業以及其他高級汽車應用中。Chandrasekharan說，Excelon FRAM已經提供2 Mb，4 Mb和8 Mb密度選項，而16 Mb正在開發中。由於FRAM顯著降低了功耗，保留了數據並且對輻射不敏感，因此被認為是這些應用中EEPROM和NOR快閃記憶體的良好替代品。在植入式醫療設備中發現了很多用例，這些植入物有望在長達十年的時間內發揮作用。
但是賽普拉斯也在展望氧化oxide可能實現的更高密度，因為那時FRAM可能會超越數據記錄範圍，成為事實上的非易失性存儲。
FMC還認為其FRAM技術已成為可行的存儲類存儲器，並且由於其多功能性，在機器學習和人工應用方面也具有很大的潛力。目標不是要取代諸如DRAM之類的更高密度的存儲器，而是要針對其技術有實際應用的地方。
