SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數據的靜態隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則就會出現內部數據會消失，因此SRAM存儲器具有較高的性能。SRAM雖然只是存儲器，但是使用的方法不一樣，晶元的面積是不一樣的。基於SRAM有兩個事實： （1）1R1W的SRAM面積要 ...
SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數據的靜態隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則就會出現內部數據會消失，因此SRAM存儲器具有較高的性能。SRAM雖然只是存儲器，但是使用的方法不一樣，晶元的面積是不一樣的。基於SRAM有兩個事實：
（1）1R1W的SRAM面積要比1RW的SRAM的面積大不少。
同樣規格的SRAM，增加一組讀寫介面，其面積會增加很多。但是有一種辦法其實有可能將本來需要使用1R1W的SRAM改用1RW SRAM替掉，從而節省不少面積。比如本來需要使用64bit x 2K的1R1W SRAM存儲器，讀寫介面都是64bit，有可能可以採用128 x 1K的1RW SRAM（讀寫共用一個介面），每次讀寫直接對128bit進行操作，這樣讀和寫就可以每2T操作一次，有可能可以pipe起來，比如：讀128bit->寫128bit->讀128bit->寫128bit.......當然，這種替換方法要求SRAM使用的時候都是順序讀寫，而非隨機讀寫。
（2）同樣容量的SRAM，其寬度和深度的比值不一樣，其面積是不一樣的。
比如16KB的SRAM，可能是64bit x 2K，或者是128bit x K，這兩種規格面積是不一樣的，使用64bit x 4K會更加節省面積，帶來的晶元面積就越小就可以降低成本。如果說我的介面就需要是128bit呢？那麼使用64bit x 4K的sram晶元，然後倍頻讀寫就可以節省不少面積。
