ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術製造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。 當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS ...
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術製造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。
當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處於待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。
使用晶元使能和輸出使能輸入可輕鬆擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數據位元組允許訪問高位元組（UB）和低位元組（LB）。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。英尚微電子親自授權為ISSI代理,為各行業領域提供各種SRAM晶元,保持長期供貨,完成客戶各方面的需求.
SRAM晶元型號IS62WV51216，管腳圖如下：
IS62WV51216的管腳總的來說大致分為：電源線、地線、地址線、數據線、片選線、寫使能端、讀使能端和數據掩碼信號線。
特征
•高速訪問時間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運行
–36mW（典型值）運行
–12µW（典型值）CMOS待機
•TTL相容介面級別
•單電源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全靜態操作：無時鐘或刷新需要
•三態輸出
•高低位元組數據控制
•可提供工業溫度
•無鉛
ISSI 8Mb LP SRAM晶元
| Density | Org. | Part Number | Vcc. | Speed(ns) | Pkg(Pins) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62C10248AL | 5V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62WV10248DALL/BLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 512Kx16 | IS62WV51216ALL/BLL | 1.65-3.6V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
| 8Mb | 512Kx16 | IS62C51216AL | 5V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
| 8Mb | 512Kx16 | IS62/65WV51216EALL/EBLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62WV10248EBLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS65WV10248EALL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS65WV10248EBLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62/65WV10248EALL/EBLL | 1.65-3.6V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
