EVERSPIN非易失性存儲器具吸引力嵌入式技術

来源:https://www.cnblogs.com/sramsun/archive/2019/12/20/12073461.html
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相關研究指出,如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM,可節省高達90%的功耗;如果採用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM,則可實現更高的位元密度和更小的晶元尺寸,這些功率與面積成本優勢將使MRAM成為邊緣側設備的有力競爭者。而相較於傳統的NAND快閃記憶體,PCRAM或ReRAM ...


相關研究指出,如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM,可節省高達90%的功耗;如果採用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM,則可實現更高的位元密度和更小的晶元尺寸,這些功率與面積成本優勢將使MRAM成為邊緣側設備的有力競爭者。而相較於傳統的NAND快閃記憶體,PCRAM或ReRAM存儲級存儲器更可提供超過10倍以上的存取速度,更適合在雲端對資料進行存儲。

MRAM是一種非易失性存儲技術,從20世紀90年代開始發展。該技術具備接近靜態隨機存儲器的高速讀取寫入能力,快快閃記憶體儲器的非易失性、容量密度和與DRAM幾乎相同的使用壽命,但平均能耗卻遠低於DRAM,而且可以無限次地重覆寫入。
 

EVERSPIN公司是 磁性隨機存儲器(MRAM) )和 集成磁(Integrated Magnetic)產品的全球領導者。並透過持續提升技術與擴展MRAM產品組合來領導業界的發展。提供市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發性隨機存取存儲器,以協助客戶開發獨特且極具競爭力的產品。主要從事: 磁性隨機存儲器(MRAM)與感測器的開發和製造工作.目標市場: 儲存、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、消費、運輸、和航空電子


MRAM技術之所以受到業界追捧,原因在於隨著業界持續向更小技術節點邁進,DRAM和NAND快閃記憶體(Flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰,MRAM因此被視為有望取代這些記憶體晶元的獨立記憶體組件。考慮到MRAM具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力,也被視為極具吸引力的嵌入式技術,適用於取代物聯網(IoT)設備中的嵌入式快閃記憶體和3級高速緩存SRAM
 
它不是用來替代快閃記憶體的,而是用來處理運算過程中產生的數據。MRAM具有高速讀寫能力,同時也能永久地保存數據,所以它屬於RAM,又能兼顧非易失性。


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