回到目錄 本小節我們以2N4123通用型BJT硅基晶體管為例，來介紹如何閱讀BJT的數據規格書，點此鏈接可以閱讀和下載2N4123的數據規格書。 1. 總體性能 打開datasheet後，首先看標題： 圖3-8.01 可以看到，這是2N4123、2N4124共用的一個datasheet，而且是通用型 ...
本小節我們以2N4123通用型BJT硅基晶體管為例，來介紹如何閱讀BJT的數據規格書，點此鏈接可以閱讀和下載2N4123的數據規格書。
1. 總體性能
打開datasheet後，首先看標題：
圖3-8.01
可以看到，這是2N4123、2N4124共用的一個datasheet，而且是通用型NPN硅基三極體。然後在在第一頁的右側，廠家給出了管腳識別方法和管體上的文字標記含義：
圖3-8.02
在第一頁的主體篇幅，數據規格書列出了這個BJT晶體管的所有極限性能，好讓使用者先對這個器件有一個總體的印象，下麵我們一條條來看：
圖3-8.03
• VCEO：基極開路情況下，CE間的擊穿電壓，在這一欄中，Value一列有兩行，上行30V為2N4123的參數；下行25V為2N4124的參數。後面我們都僅以2N4123的參數為例，不再分2種型號分開羅列描述。（VCEO的電路連接與概念可參看前文的圖3-5.06）
• VCBO：發射極開路情況下，CB間的集電結結的反向擊穿電壓，為40V。（VCBO電路連接和概念可參看前文的圖3-3.07和圖3-3.10。）
• VEBO：集電極開路情況下，BE間發射結的反偏擊穿電壓，為5V。
• IC-continuous：可承受的最大連續集電極電流，為200mA。
• PD（@TA=25℃）：環境溫度為25℃時的最大耗損功率（TA中A的意思是“Ambient”），典型值為625mW、衰減繫數為5mW/℃。這2個是比較重要的參數，請參看下麵的詳細說明。
• PD（@TC=25℃）：管體錶面溫度為25℃時的最大耗損功率（TC中C的意思是“Surface”），典型值為1.5W，比上面環境溫度為25℃時的PD值大了近3倍。這個也很好理解，一般來說溫度越高，晶體管的性能越差。在晶體管電流較大時，管體錶面溫度有可能遠高於環境溫度（摸上去都可能燙手），所以限制了最大耗損功率的大小。只有在管體錶面加裝了面積很大且接觸良好的散熱片時，才能認為管體錶面溫度近似等於環境溫度，而使用這個1.5W的標稱值。
• TJ, Tstg：工作溫度範圍與倉儲溫度範圍，典型值為-55℃~+150℃。
• RθJA：內部PN結到環境之間的熱阻，為200℃/W。關於熱阻、溫度、功率之間的如何計算，前面的“1-6二極體數據規格書”小節已經介紹過了，這裡就不再贅述了，回看可點擊這裡。
• RθJC：內部PN結到管體錶面之間的熱阻，為83.3℃/W。
● 關於最大耗損功率的說明：
由於BJT的CE極間有壓降VCE、有電流IC，所以三極體本身也是要消耗功率的，而且還不小。根據“功率=電壓*電流”的公式，三極體的主要功耗產生在C、E極間（BE間和BC間由於基極電流IB太小，故可以忽略不記）。
所以在做設計時，除了要保證VCE不能超過上面的VCEO、IC不能超過上面的IC-continuous以外，還要計算耗損功率是否會超限，如下圖所示：
圖3-8.04
在上圖中，PD功率曲線下方的綠色區域是安全區域，如果超出這個區域，就會導致晶體管損壞。
衰減繫數（Derate above 25℃）5.0mW/℃是指，當溫度高於25℃時，每升高1℃，最大耗損功率參數會降低5mW。比如，當環境溫度上升到135℃時，本晶體管允許的最大耗損功率PD只有：
當環境溫度上升到125℃時，本晶體管允許的最大耗損功率PD更是下降到了：
2. 具體性能參數
從第2頁開始，為具體的性能參數表格，我們一個個表格來看：
（1）截止性能參數
圖3-8.05
• V(BR)CEO：、V(BR)CBO、V(BR)EBO：這3個參數在前面的總體性能表格中已經出現過，這裡只是為了表格完整性再重覆羅列一下而已。
• ICBO：指在E極開路，CB間加上20V的反偏電壓時，集電結的漏電流，為50nA。（電路連接和概念可參看前文圖3-3.07）。一般我們可以通過這個參數計算ICEO（ICEO的概念可參看前文圖3-5.06）,具體算式為：ICEO = β ICBO
• IEBO：指在C極開路，EB間加上20V的反偏電壓時，發射結的漏電流，為50nA。
（2）導通性能參數
圖3-8.06
• hFE：這個就是直流電流放大繫數β（至於為什麼要寫成hFE，這個我們在下一章BJT的交流分析中會講）。這裡我們在表格中可以看到，在IC的兩個不同條件下，測得的放大繫數不同。在第一個條件（IC=2mA，VCE=1.0V）時，直流放大繫數β的值在50~150都是合格的；在第二個條件（IC=50mA，VCE=1.0V）下，放大繫數β只有25。
• VCEsat：這個就是在共射放大電路中常用的CE間飽和電壓，這裡是0.3V。測試條件為IC=50mA，IB=5mA，可以看到，此時直流放大倍數IC/IB=10，遠小於放大繫數β正常最小值的50，說明確實是飽和了。
• VBEsat：測試條件和上面相同（晶體管處於飽和狀態），此時BE間的電壓即為VBEsat飽和電壓（一般電路分析計算時不常用）。
（3）小信號性能參數
圖3-8.07
小信號性能參數基本都為交流參數，這個等我們下一章講BJT放大電路的交流分析時再講。現在唯一需要看一下的是上圖中的hfe參數（下標fe用小寫），即交流電流放大繫數βac。
3. 特性曲線
數據規格書的第三部分是本晶體管的特性曲線，其中Figure1~8為交流特性曲線，Figure9~12為直流特性曲線。關於交流特性，我們放到下一章再講，這裡我們僅分析Figue9~12的直流特性曲線：
● 直流增益
圖3-8.08
上圖為直流增益hFE（即直流β）隨IC變化的曲線，測試條件為VCE=1V。從圖中我們可以看到，hFE值會受多種因素的影響，hFE不僅會隨溫變化而變化，還會隨集電極電流IC的變化而變化。
這裡要說明一下的是縱坐標的表示方式，圖中“NORMALIZED”稱為“歸一化參數”。即：把在+25℃和IC=8mA條件下的hFE作為基準hFE值，其他條件下的hFE值相對於這個基準值的比值。這是個無量綱（即無單位）的參數，常用於表示某值隨其他條件的相對變化量。
● 飽和電流範圍
圖3-8.09
上圖為描述飽和區的特性曲線，看上去好像很複雜，其實，只要將其順時針轉90度，就是我們熟悉的圖形了：
圖3-8.10
上圖就是我們非常熟悉的共射組態的輸出特性曲線了，其中橫坐標為VCE，縱坐標是IB（這個與我們先前學過的圖形稍稍不同），其中每條曲線對應於一個IC。其實本質是一樣的，只不過把我們以前圖中的IB和IC互相調換了一下位置而已。圖中橙色部分即為大致的飽和區。
● 一些導通時的電壓特性
圖3-8.11
上圖是進一步描述一些電壓-電流特性的。其中VCEsat和VBEsat那兩條曲線是描述飽和閾值特性的，測試條件為IC/IB=10，此時的直流放大倍數只有10，遠小於正常的hFE值了，所以晶體管一定處於飽和狀態。最下麵那條曲線為飽和閾值電壓VCEsat隨IC變化的曲線；最上面那條曲線為飽和閾值電壓VBEsat隨IC變化的曲線。
中間那條曲線為當VCE恆定保持1V時，VBE和IC的對應關係，此曲線其實和飽和沒啥關係，只不過是廠家為了方便，把與IC對應的各種電壓描述曲線都放到同一張圖裡了。
● 溫度繫數
圖3-8.12
先不看圖，單講溫度繫數的含義。溫度繫數θ的意思是指，某些參數的值可能會隨溫度的變化而變化。比如，飽和閾值電壓VCEsat，會隨環境溫度的變化而變化，它的溫度繫數就定義為：θVC，其在某溫度t下的計算式為：
問題在於，θVC這個值本身也不是固定的，它會隨著IC的變化而變化。所以，圖中上面那組橫V字形的曲線組，就用來表示θVC值在25℃以上和25℃以下時θVC與IC的對應關係。同理，下麵那組曲線表示θVB和IC的對應關係。
（ end of 3-8）
